变频器常逆变管

也称可控硅，有三个极：阳极（A），阴极（K）和门极（G）。其图形符号如图所示：
　　


　　SCR工作特点：当A、K间有一正向电压时，在门极和阴极间加一不大的正向电压（G为“＋”，K为“－”）时，SCR即导通。此时，即使取消门电压，SCR仍保持导通，只有当A、K间是反向电压时，SCR才判断。所以，只需要用一个脉冲信号，就可以控制其导通了。
二、GTO－可关断晶体管
　　GTO结构和SCR类似，也有三个极：阳极A，阴极K和门极G，图形符号也和SCR类似，只在门极上加一短线来区别，如图：
　　


　　GTO工作特点：（1）当A、K间是正向电压时，在门极上加正向电压或正脉冲，GTO即导通。其后，即使取消控制信号，GTO仍保持导通。这一点儿和SCR一样。
　　（2）当在G、K间加反向电压或反向脉冲时，GTO判断。
　　GTO关断控制较易失败，工作频率也不高。在中小容量变频器中已基本不用GTO，但其工作电流大，故在大容量变频器中仍居主要地位。
三、GTR－电力晶体管
　　也叫双极结型晶体管（BJT）。
　　变频器用的GTR一般都是达林顿晶体管模块，有三个极：集电极C，发射极E和基极B。其图形符号和普通晶体管一样，如图所示：
　　


　　GTR工作特点：和普通晶体管一样，GTR也是一种放大器件，具有三种工作状态：放大状态、饱和状态和截止状态。在变频器中是作为开关器件来用的，工作过程中，总是在饱和状态和截止状态间进行交替。
　　GTR是用电流信号进行驱动的，所需驱动功率较大，故基极驱动系列比较复杂，并使工作频率难以提高，这是其不足之处。
四、IGBT－绝缘栅双极型晶体管
　　IGBT是MOSFET（MOS场效应晶体管）和GTR相结合的产物。其主体部分与晶体管相同，也有集电极C和发射极E，但驱动部分和场效应管相同，是绝缘栅结构。其符号如图所示：
　　


　　IGBT工作特点：控制部分和场效应晶体管相同，控制信号为电压信号，输入阻抗很高，栅极电流为0，帮驱动功率很小。主电路和GTR相同，工作电流为集电极电流。
　　IGBT击穿电压已做到1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。其工作频率要达20KHz，由IGBT作为变频器的载波频率一般都在10KHz以上，电机电流波形比较平滑，基本无电磁噪声。