各种二极管的用途

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查看4319 | 回复9 | 2011-9-11 17:15:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
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1、检波二极管 
  A、用于检波电路
  B、用于鉴频电路
  C、用于鉴相电路
  D、用于混频电路
  E、用于限幅电路
  F、用于AGC电路
  G、用于测试电路
  H、用于指示器电路
  I、用于其它电路
 2、变容二极管
  A、用于调谐电路
  B、用于倍频电路
  C、用于控制电路
  D、用于其它电路
 3、整流二极管
  A、用于整流电路
  B、用于供电电路
  C、用于节电电路
  D、用于照明电路
  E、用于稳压电路
  F、用于测试电路
  G、用于控制电路
  H、用于保护电路
  I、用于指示器电路
  J、用于其它电路
 4、恒流二极管
  A、用于稳流电路
  B、用于充电电路
  C、用于测试电路
  D、用于放大电路
  E、用于保护电路
  F、用于其它电路
 5、稳压二极管 
  A、用于稳压电路
  B、用于延迟电路
  C、用于保护电路
  D、用于其它电路
 6、双向触发二极管
  A、用于调压电路
  B、用于控制电路
  C、用于其它电路
 7、发光二极管
  A、用作指示灯
  B、用作指示器
  C、用于显示器
  D、用于检测电路
  E、用于闪烁电路
  F、用于整流电路
  G、用于稳压电路
  H、用于其它电路
 8、负阻发光二极管
  A、用于过压保护电路
  B、用于其它电路
 9、红外发光二极管
  A、用于发射器
  B、用于接收器
 10、肖特基二极管
  A、用作逆变器的保护
  B、用作开关电源续流
  C、用作升压二极管
  D、用作阻尼二极管
 11、隧道二极管
  A、用于高频电路
  B、用于单、双稳态电路
  C、用于保护电路
 12、开关二极管
  A、用于检波电路
  B、用于钳位电路
  C、用于抗干扰电路
  D、用于自动控制电路
  E、用于保护电路
  F、有于门电路
  G、用于其它电路
 13、硅电压开关二极管
  A、用于高压发生器
  B、用于脉冲发生器
 14、光电二极管
  A、用于光控电路
  B、用于光信号放大
  C、用于光/暗通光控
 15、温敏二极管
  A、用于温控电路
  B、用于恒压源电路
  C、用于恒流源电路
 16、精密二极管
  A、用于恒流源电路
  B、用于恒压源电路
  C、用于桥式对管测量
  D、用于数字温度测量
  E、用于优质对数放大
  F、用于晶体管线性化
  G、用于热敏电阻线性化
 17、快恢复二极管
  A、用于整流电路
  B、用于续流管 
  C、用作升压管 
  D、用作阻尼管
  E、用于其它电路 
 18、双向过压保护二极管
  A、用于保护电路
  B、用于其它电路
常用二极管
1.整流二极管
整流二极管结构主要是平面接触型,其特点是允许通过的电流比较大,反向击穿电压比较高,但PN结电容比较大,一般广泛应用于处理频率不高的电路中。例如整流电路、嵌位电路、保护电路等。整流二极管在使用中主要考虑的问题是最大整流电流和最高反向工作电压应大于实际工作中的值。
2.快速二极管
快速二极管的工作原理与普通二极管是相同的,但由于普通二极管工作在开关状态下的反向恢复时间较长,约4~5ms,不能适应高频开关电路的要求。快速二极管主要应用于高频整流电路、高频开关电源、高频阻容吸收电路、逆变电路等,其反向恢复时间可达10ns。快速二极管主要包括快恢复二极管和肖特基二极管。
快恢复二极管(简称FRD)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管,主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中,作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。 快恢复二极管在制造上采用掺金、单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压。快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同,它属于PIN结型二极管,即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I,构成PIN硅片。因基区很薄,反向恢复电荷很小,所以快恢复二极管的反向恢复时间较短,正向压降较低,反向击穿电压(耐压值)较高。目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中作整流元件,高频电路中的限幅、嵌位等。
肖特基(Schottky)二极管也称肖特基势垒二极管(简称SBD),是由金属与半导体接触形成的势垒层为基础制成的二极管,其主要特点是正向导通压降小(约0.45V),反向恢复时间短和开关损耗小,是一种低功耗、超高速半导体器件,广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路,作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用,或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别,它的内部是由阳极金属(用钼或铝等材料制成的阻挡层)、二氧化硅(SiO2)电场消除材料、N-外延层(砷材料)、N型硅基片、N+阴极层及阴极金属等构成,如图所示:

在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。当在肖特基势垒两端加上正向偏压(阳极金属接电源正极,N型基片接电源负极)时,肖特基势垒层变窄,其内阻变小;反之,若在肖特基势垒两端加上反向偏压时,肖特基势垒层则变宽,其内阻变大。
  肖特基二极管存在的问题是耐压比较低,反向漏电流比较大。目前应用在功率变换电路中的肖特基二极管的大体水平是耐压在150V以下,平均电流在100A以下,反向恢复时间在10~40ns。肖特基二极管应用在高频低压电路中,是比较理想的。
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