电子元件发展主流

小型化。电子产品的多功能化和便携式同时要求电子元件产品在保持原有性能的基础上不断缩小元件的尺寸。以多层陶瓷电容器(MLCC)为例，目前的主流产品的尺寸正在从0603型向0402型过渡，而更受市场欢迎的高端产品是0201型。尺寸的缩小涉及一系列材料和工艺问题，这些问题是目前无源元件研究的一个热点，一些新材料和前沿技术(如纳米技术等)已开始被用于超小型元件的工艺之中。
多功能化。随着电子新型产品功能的不断增加，对片式元件功能的要求也越来越多样化。尽管从数量上看，电子元件的片式化率已高达70%以上，但发展很不均衡，一些元件由于工艺、结构及材料等原因，片式化的难度较大。如具有电感结构的磁珠元件，其功能不在于作为一个电感器，而是抗电磁干扰，目前片式化的磁珠元件已成为用量最大的一类片式电感类元件。这些新元件的设计和材料都是电子元件所面临的新问题。目前，为了实现微波陶瓷元件、过流保护元件、敏感陶瓷元件、磁性变压器等元件的片式化，世界各国都在开发具有低温烧结特性的微波陶瓷介质和敏感陶瓷材料及相应材料的多层共烧技术。  
集成模块化。由于无源电子元件的制造工艺在材料和技术上差异很大，很长时间以来一直以分立元件的形式使用。尽管人们一直在片式元件的小型化方面进行着一系列努力，但与半导体器件的高度集成化相比，其发展相对缓慢得多。近年来，由于低温共烧陶瓷(LTCC)等技术的突破才使无源集成技术进入了实用化和产业化阶段，并成为备受关注的技术制高点。基于LTCC技术的片式元件及其集成化产品的产值一直以每两年翻一番的速度发展。据预测，到2010年，仅中国内地的LTCC产品市场就将达到30亿美元。
高频化、宽频化。电子产品向高频(微波波段)发展的趋势很强劲，如无线移动通信发展到2GHz，蓝牙技术是2.4GHz，短距离无线数据交换系统可达5.8GHz。此外，高速数字电路产品越来越多，光通信的传输速度已从2.5Gbps发展到10Gbps。这些进展都对电子元器件提出了更高的要求，如降低寄生电感、寄生电容、提高自谐振频率、降低高频ESR、提高高频Q值等。
绿色化。在电子元件的制造过程中，往往使用大量有毒物料，如清洗剂、溶剂、焊料及某些原材料等。部分电子元件成品中有时也含有有毒物质，如汞、铅、镉等。现在一些发达国家已经立法禁用这些有害物质，提倡绿色电子。我国电子元件行业也面临这一课题，有大量的技术问题有待于解决。
我国片式电子元件取得飞速发展
近年来，国家“863”计划、高技术产业化示范工程项目、电子信息产业发展基金项目等重大研究计划均支持了片式元件相关的研究项目。其中国家“863”计划对电子元件材料及其关键技术的研究给以了长期稳定的支持。“七五”期间“863”支持了多层陶瓷电容器的研究；“八五”末期，高性能低温烧结MLCC项目被列为“863”重大成果转化项目；“九五”期间，高性能表面安装元件被列为“863”重大项目；“十五”期间，新一代高性能片式元件的关键材料与技术被列为“863”重点项目。
在这些项目的支持下，我国在片式元件及其关键材料研究开发与成果转化方面取得了可喜的成绩，在一些材料和元器件(如多层陶瓷电容器、片式电感器、片式压电陶瓷变压器)的关键技术方面拥有自主知识产权，积累了一批技术含量高、市场容量大、应用与产业化前景好的优秀科研成果，并形成了若干具有带动性、示范性的高技术产业和成果转化基地。部分成果如下：“十五”期间，在国家“863”计划的支持下，我国科技人员在国内首次研制出了贱金属内电极片式电容器，并实现了近亿元的销售额，使我国的企业成功进入这一新的元件领域，成功地解决了大容量X7R瓷料长期依赖进口的问题；拥有自主知识产权的高频宽带抗EMI元件的研制成功，使我国企业成为世界上第二个拥有这类重要元件生产能力的厂家；首次生产出大感量系
列，填补了国内相关产品的空白；在国内首次推出了基于片式电容器和片式电感器集成的片式LC滤波器和基于LTCC技术的集成片式滤波器和片式天线。这些成果的产业化优化了我国新一代电子元件产业的产品结构。然而，从总体上产业水平上看，我国片式元件产业与美、日两个元件生产强国相比还存在一定的差距。电子元件生产企业所面临的普遍问题是核心竞争力较差、产品档次较低，其中蕴涵的技术含量较低，附加值低，拥有自主知识产权的产品较少，在某些核心技术上还受制于人。
片式元件升级换代速度加快、无源集成产业的兴起以及世界范围产业结构的调整为我国片式元件产业的发展提供了历史的机遇。抓住这些机遇，投入力量，研究开发具有自主知识产权的新一代片式元件及其集成器件，将是我国从电子元件大国走向电子元件强国的必由之路。

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