Research on the Adjacent Phase Compensation of the Electric-Field of 500 kV OMU
Abstract Calculated the 3-phase electrical field signals of 500 kV OMU. The influence of electrical field signal of adjacent phases without grading is below 0.1%. If the system set up a grading ring for the need of insulation, the compensation of signal is needed.
Key words 500 kV OMU signal compensation of adjacent phase
0 前 言
组合式电场型光学电流电压传感器(OMU)是较有前途的高压测试装置[1]。前期研究结果[2]表明:均压环的设置对提高绝缘性能有好的作用,但降低了传感点电场信号的灵敏度,不利于克服环境电场变化引起的测试误差。为了克服绝缘筒热胀冷缩的影响,电压传感器固定在上极板(上极板再固定在绝缘筒上)比传感器直接固定在绝缘筒或下极底座上好,且越靠近上极板灵敏度越高。本文研究三相系统的电场信号问题(靠近上极板处),讨论相邻两相对电压传感头电场信号的影响及其补偿措施。
1 三相系统的影响
图1为现场布置图。上极板为一半径r1=0.2 m,高度d2=0.4 m的圆筒(内置电流传感器),电位为500 kV;绝缘筒(内置电压传感器)的高度d1=4 m,支架底座为高度d3=4 m的接地圆筒,电位为0 V;均压环半径r4=0.4 m,r3=0.04 m,设置水平时d4=0,下移时d=0.2 m。计算方法为模拟电荷法。我们选择了点电荷和环型线电荷作为模拟电荷,模型均不考虑绝缘介质(即绝缘筒介质)的影响,这虽然会影响计算结果,但不会影响其规律,而且给计算带来方便。计算误差以边界上校核点电位的相对误差为标准,均控制在0.3%以下。单相轴线电场(有效值)分布(见图2)的结果表明无均压环时场的分布最不均匀。